اطلاعیه
Technosun

دسته بندی

تمام دسته بندی محصولات در تکنوسان
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

حافظه SSD سامسونگ Samsung 970 EVO 1T M.2

Samsung 970 EVO 1T M.2 SSD Hard Drive

سامسونگ - SAMSUNG
ویژگی‌ها
ظرفیت : یک ترابایت - 1TB
پشتیبانی از NVMe : دارد
مقاوم در برابر شوک : دارد
/images/static/free-shipping.jpg
مشخصات
شناسه محصول 709917
خرید محصول

محصولات مرتبط

نقد و بررسی

حافظه SSD سامسونگ Samsung 970 EVO 1T M.2

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل ۹۷۰EVO ظرفیت ۱ ترابایت

درایوهای جامد ۹۷۰EVO از ساخته های شرکت معتبر و معروف سامسونگ است که به طور اختصاصی برای افزایش سرعت سیستم های گیمینگ و بهبود کارآیی قطعات سخت افزاری بهینه سازی شده اند. بهره گیری از نسل جدید حافظه های قدرتمند V-NAND و سرعت بسیار بالای پاسخگویی این محصول موجب برتری آن نسبت به نمونه های مشابه درایوهای جامد کمپانی سامسونگ شده است. همچنین پشتیبانی این محصول از تکنولوژی هوشمند TurboWrite باعث شده سطح قابلیت ها و امکانات این محصول بیش از پیش افزایش یافته و انتخاب مناسبی برای کاربری گیمینگ و تولید محتوا ویدئویی باشد. پشتیبانی از نسخه ۱٫۳ NVMe باعث شده تا فعالیت های پیچیده گرافیکی نظیر تولید محتوا ویدئویی با سهولت بیشتری همراه باشد. سرعت تبادل اطلاعات در Samsung 970 EVO در مقایسه با نسل های قبل این هارد بسیار افزایش یافته بطوریکه این محصول می تواند با سرعت های حداکثر ۳۵۰۰ و ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه به خواندن و نوشتن ترتیبی اطلاعات بپردازد. فرم فاکتور این هارد M.2 2280 بوده و از رابط قدرتمند PCle پشتیبانی می کند. این محصول قابلیت کدگذاری ۲۵۶ بیتی AES و پروتکلهای امنیتی TCG/Opal را دارا بوده و از TRIM و قابلیت S.M.A.R.T پشتیبانی می کند. عمر مفید این محصول حدود ۱٫۵ میلیون ساعت تخمین زده شده است.

مشخصات محصول

مشخصات
فرم فاکتورM.2
نوع رابطPCIe 3.0 x4
ظرفیتیک ترابایت - 1TB
هیت سینکندارد
پشتیبانی از NVMeدارد
نوع محصولحافظه اس اس دی M.2
سرعت خواندن تصادفی500,000 IOPS
ابعاد2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن8 گرم
مقاومت در برابر ضربهدارد
مقاوم در برابر شوکدارد
دمای عملیاتی0 تا 70 درجه سانتیگراد
سرعت خواندن اطلاعات3400 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات2500 مگابایت بر ثانیه
میانگین زمان بین خطاها (MTBF)1.5 میلیون ساعت
مصرف برق5.4 وات در حالت بیکاری 30 میلی وات در حالت فعال 5 میلی وات در حالت DevSleep
میزان مقاومت در برابر شوک1500G/0.5ms
سرعت نوشتن تصادفی اطلاعات450,000 IOPS
سیستم رمزگذاری256 بیتی AES

نظرات کاربران

نظر تا اکنون ثبت شده