خرید عمده یوزر
Technosun

دسته بندی

تمام دسته بندی محصولات در تکنوسان
حافظه SSD سامسونگ Samsung 980 Pro w/ Heatsink 1TB M.2
حافظه SSD سامسونگ Samsung 980 Pro w/ Heatsink 1TB M.2
حافظه SSD سامسونگ Samsung 980 Pro w/ Heatsink 1TB M.2
حافظه SSD سامسونگ Samsung 980 Pro w/ Heatsink 1TB M.2
حافظه SSD سامسونگ Samsung 980 Pro w/ Heatsink 1TB M.2
حافظه SSD سامسونگ Samsung 980 Pro w/ Heatsink 1TB M.2
حافظه SSD سامسونگ Samsung 980 Pro w/ Heatsink 1TB M.2
حافظه SSD سامسونگ Samsung 980 Pro w/ Heatsink 1TB M.2
حافظه SSD سامسونگ Samsung 980 Pro w/ Heatsink 1TB M.2
حافظه SSD سامسونگ Samsung 980 Pro w/ Heatsink 1TB M.2
حافظه SSD سامسونگ Samsung 980 Pro w/ Heatsink 1TB M.2
حافظه SSD سامسونگ Samsung 980 Pro w/ Heatsink 1TB M.2

حافظه SSD سامسونگ Samsung 980 Pro w/ Heatsink 1TB M.2

Samsung 980 Pro 2TB M.2 with Heatsink SSD Drive

سامسونگ - SAMSUNG
ویژگی‌ها
هیت سینک : دارد
پشتیبانی از NVMe : دارد
/images/static/banner-free-d.jpg
مشخصات
شناسه محصول 1330188
خرید محصول

محصولات مرتبط

تعداد موردنظر را وارد کنید
تعداد موردنظر را وارد کنید
تعداد موردنظر را وارد کنید
تعداد موردنظر را وارد کنید
تعداد موردنظر را وارد کنید

نقد و بررسی

حافظه SSD سامسونگ Samsung 980 Pro w/ Heatsink 1TB M.2

هارد اینترنال SSD سامسونگ مدل ۹۸۰Pro w/ Heatsink ظرفیت ۱ ترابایت

امکان نظارت بر عملکرد حافظه و تهیه نسخه پشتیبان، دریافت به روزرسانی، سلامت و وضعیت حافظه و … با وجود ابزار کاربردی Samsung Magician

پشتیبانی از فناوری های TRIM و S.M.A.R.T جهت بهبود راندمان سیستم و سرعت عملیاتی حافظه، میانگین عمر مفید (MTBF) معادل ۱,۵۰۰,۰۰۰ میلیون ساعت

ارائه حداکثر سرعت ۷۰۰۰ مگابایت بر ثانیه جهت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی و تا ۵۰۰۰ مگابایت در ثانیه سرعت برای نوشتن ترتیبی داده، مقاوم در برابر لرزش

ساخته شده از تراشه های V-NAND 3-bit MLC NAND در فرم فاکتور M.2 2280 مناسب برای ارتقای سیستم های کامپیوتری سازگار و کنسول بازی پلی استیشن ۵

نوع رابط اتصال PCIe 4.0 x4 با پشتیبانی از NVMe نسخه ۱٫۳c، افزایش امنیت فایل های ذخیره شده و عدم دسترسی به آن با وجود فناوری رمزگذاری سخت افزاری ۲۵۶ بیتی AES

مقاومت در برابر شوک تا حداکثر میزان ۱۵۰۰G/0.5ms، سرعت خواندن و نوشتن رندوم اطلاعات به ترتیب برابر با ۶۹۰K IOPS و ۶۶۰K IOPS، دمای عملکرد ۰ الی ۷۰ درجه سانتی گراد

مشخصات محصول

نوع فلشV-NAND
نوع محصولحافظه اس اس دی M.2
سرعت خواندن تصادفیتا 690K IOPS
ابعاد8.6×24×80 میلی‌ متر
وزن30.5 گرم
دمای عملیاتی0 الی 70 درجه سانتی گراد
دمای عملکرد0 الی 70 درجه سانتی گراد
سرعت خواندن اطلاعاتترتیبی : تا 7000MB/s
مقاومت در برابر شوک و لرزشدارد
میانگین زمان بین خطاها (MTBF)1,500,000 میلیون ساعت
میزان مقاومت در برابر شوک1500G/0.5ms
سرعت نوشتن ترتیبی اطلاعاتتا 5000MB/s
سرعت نوشتن تصادفی اطلاعاتتا 660K IOPS
سیستم رمزگذاریAES 256-bit
ظرفیتیک ترابایت - 1TB
فرم فاکتورM.2
نوع رابطPCIe 4.0 x4
هیت سینکدارد
پشتیبانی از NVMeدارد

نظرات کاربران

نظر تا اکنون ثبت شده
faq

از تخفیف‌ها با‌خبر باشید

با ثبت شماره همراه از جدید‌ترین تخفیف‌ها با‌خبر شوید.